光敏半导体受光照射后,会不同程度地改变物体内的“载流子迁移率”(迁移率是载流 子的迁移速度与外电场的比值)。标志物体的导电能力的“电导”,等于载流子密度乘以迁移率。迁移率上升,电导提高,电导率由本征光电导率、杂质光电导率和迁移率的值共同决 定,只是在某种条件下便以其中的某种因素为主罢了。







光敏半导体内产生的光生载流子增多,它的电导率就上升。这种受光照射后提高的电导率称为“本征光电导率”。 实际应用中,光敏半导体材料需经过掺杂后,才能制成激光器使用的半导体材料。所以除了有本征光电导率外,还必须具有光激发杂质能级上的电子或空穴形成的杂质光电导率 的性质。在有些光敏半导体中,“杂质光电导率”起主要作用。
现代所用的半导体激光器,通常采用激光二极管,它的原理与普通的二极管---相似,大型打印机租赁,如都有一对pn结,当电压和电流加到激光二极管上时,p型半导体材料中的空穴和n型材料中的自由电子产生相对运动,办公室大型打印机租赁, pn结处载流子的密度增加非常大,自由电子和空穴重新复合,因而产生受激辐射,大型打印机,释放出具有激光特性的光子,由激光器谐振腔内的反射镜反射,透过激 光孔和孔内---镜,射出激光束。
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